250 ଡିଗ୍ରୀରେ ସିଲିକନ୍ ରବରର ଆବିର୍ଭାବ ଏହାର ଏକ "ସାଧାରଣ" ପ୍ରଦର୍ଶନ ନୁହେଁ, ବରଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅବସ୍ଥାରେ ଏହାର ବାର୍ଦ୍ଧକ୍ୟ ପ୍ରଣାଳୀର ଫଳାଫଳ |
ସାଧାରଣତ ,, ସିଲିକନ୍ ରବର ଏହାର ଉତ୍ତାପ ପ୍ରତିରୋଧ ପାଇଁ ପ୍ରସିଦ୍ଧ, ଲମ୍ବା - ଟର୍ମ ସେବା ତାପମାତ୍ରା ସାଧାରଣତ -60 ଡିଗ୍ରୀରୁ 200-230 ଡିଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟରେ ରହିଥାଏ|ଯେତେବେଳେ ତାପମାତ୍ରା 250 ଡିଗ୍ରୀ କିମ୍ବା ତା’ଠାରୁ ଅଧିକ ସୀମାକୁ ବ, େ, ଅନେକ ପ୍ରମୁଖ ବାର୍ଦ୍ଧକ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ହେବ, ପରିଶେଷରେ ଭ୍ରୁଣର କାରଣ ହେବ|ସିଲିକନ୍ ରବର ପଲିମର ମୁଖ୍ୟ ଶୃଙ୍ଖଳା ଏବଂ ପାର୍ଶ୍ୱ ଗୋଷ୍ଠୀର ଅପୂରଣୀୟ ରାସାୟନିକ ଅବକ୍ଷୟରେ ଭ୍ରୁଣର ମ fundamental ଳିକ କାରଣ ରହିଛି|ନିମ୍ନଲିଖିତଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି ଅନେକ ମୂଳ ଯନ୍ତ୍ର ଯାହା ଭ୍ରୁଣକୁ ନେଇଥାଏ |
ସାଇଡ୍ ଗ୍ରୁପ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ (ମୁଖ୍ୟ ଯନ୍ତ୍ର) ପ୍ରକ୍ରିୟା: ସିଲିକନ୍ ରବରର ସବୁଠାରୁ ସାଧାରଣ ପ୍ରକାର ହେଉଛି ମିଥାଇଲ୍ ଭିନିଲ୍ ସିଲିକନ୍ ରବର|ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ, ବାୟୁରେ ଥିବା ଅମ୍ଳଜାନ ପଲିମର ପାର୍ଶ୍ୱ ଶୃଙ୍ଖଳରେ ମିଥାଇଲ୍ ଗୋଷ୍ଠୀ (- CH₃) ଉପରେ ଆକ୍ରମଣ କରିବ|ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା: ମିଥାଇଲ୍ ଗ୍ରୁପ୍ ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ହୋଇ ପ୍ରଥମେ ଏକ ହାଇଡ୍ରକ୍ସିଲ୍ ଗ୍ରୁପ୍ (- OH) ଗଠନ କରେ, ଯାହା ପରେ - ଲିଙ୍କ୍ ଅତିକ୍ରମ କରିପାରେ କିମ୍ବା ଅନ୍ୟ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ|ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ମଲିକୁଲାର ଶୃଙ୍ଖଳା ମଧ୍ୟରେ ଅତିରିକ୍ତ କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କିଙ୍ଗ୍ ପଏଣ୍ଟ (ଅକ୍ସିଡେଟିଭ୍ କ୍ରସ୍ ଲିଙ୍କିଙ୍ଗ୍) ଗଠନ କରେ |
ପରିଣାମ: ଅତିରିକ୍ତ କ୍ରସଲିଙ୍କିଙ୍ଗ ପଏଣ୍ଟଗୁଡ଼ିକର ସଂଖ୍ୟା ବ increasing ଼ିବା ସହିତ ପଲିମେର୍ ନେଟୱାର୍କ ଅତ୍ୟଧିକ ଘନ ଏବଂ କଠିନ ହୋଇଯାଏ|ପଦାର୍ଥ ଏହାର ଇଲାସ୍ଟିସିଟି ହରାଇଥାଏ, କଠିନ ହୋଇଯାଏ ଏବଂ ଶେଷରେ ସାମାନ୍ୟ ଚାପର ସମ୍ମୁଖୀନ ହେଲେ ଭଙ୍ଗା ଭଙ୍ଗା ହୋଇଯାଏ|ଆପଣ ଏକ ମାଛଧରା ଜାଲ କଳ୍ପନା କରିପାରିବେ|ଯେତେବେଳେ ଏହାର ନୋଡଗୁଡ଼ିକ ଅତ୍ୟଧିକ ଏବଂ ଅତ୍ୟଧିକ ଘନ ହୋଇଯାଏ, ଏହା ନମନୀୟତା ହରାଇଥାଏ ଏବଂ ଟାଣିବାବେଳେ ସହଜରେ ଭାଙ୍ଗିଯାଏ |
2. ମୁଖ୍ୟ ଶୃଙ୍ଖଳା ଡିପୋଲାଇମେରାଇଜେସନ୍ ("ଅନିୱିଣ୍ଡିଂ" ପ୍ରତିକ୍ରିୟା) ପ୍ରକ୍ରିୟା: ଯଥେଷ୍ଟ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ, ସିଲୋକ୍ସେନ୍ ମୁଖ୍ୟ ଶୃଙ୍ଖଳା (- Si - O -) ନିଜେ ଭାଙ୍ଗିପାରେ|ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା: ମୁଖ୍ୟ ଶୃଙ୍ଖଳା ଭାଙ୍ଗି, ସାଇକ୍ଲିକ୍ ଅଲିଗୋମର୍ (ଯେପରିକି D3, D4, ଇତ୍ୟାଦି) ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଛୋଟ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ସୃଷ୍ଟି କରେ |
ପରିଣାମ: ପଲିମେର୍ ଶୃଙ୍ଖଳାର ଲମ୍ବ ଛୋଟ ହୋଇଯାଏ ଏବଂ ପରମାଣୁ ଓଜନ କମିଯାଏ|ଏହା ସିଧାସଳଖ ପଦାର୍ଥର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତି ହ୍ରାସ କରିଥାଏ|ଯେତେବେଳେ ଶୃଙ୍ଖଳା ଅତ୍ୟଧିକ ଛୋଟ ହୋଇଯାଏ, ପଦାର୍ଥ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ଚାପକୁ ସହ୍ୟ କରିପାରିବ ନାହିଁ ଏବଂ ଏହା ମଧ୍ୟ ଭଗ୍ନ ହୋଇଯିବ|ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉଭୟ ଅମ୍ଳଜାନର ଉପସ୍ଥିତି ଏବଂ ଅନୁପସ୍ଥିତିରେ ହୋଇପାରେ, କିନ୍ତୁ ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଏହା ବିଶେଷ ମହତ୍ .ପୂର୍ଣ |
3। ଅସ୍ଥିର ପଦାର୍ଥ ଏବଂ ପ୍ଲାଷ୍ଟିକାଇଜରର କ୍ଷତି ପ୍ରକ୍ରିୟା: ସିଲିକନ୍ ରବର ଉତ୍ପାଦନ ସମୟରେ, କିଛି କମ୍ - ମଲିକୁଲାର - ଓଜନ ସିଲୋକ୍ସାନ ରହିପାରେ, କିମ୍ବା ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା ପାଇଁ କିଛି ଯୋଗକ ଯୋଗ କରାଯାଇପାରେ|ଲମ୍ବା - ଅବଧି ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ, ଏହି ନିମ୍ନ - ମଲିକୁଲାର - ଓଜନ ପଦାର୍ଥଗୁଡ଼ିକ ଧୀରେ ଧୀରେ ଅସ୍ଥିର ହୋଇଯିବ କିମ୍ବା ସ୍ଥାନାନ୍ତରିତ ହେବ |
ପରିଣାମ: ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣରେ, ଏହି ପଦାର୍ଥଗୁଡ଼ିକ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ତେଲ ଏବଂ ପ୍ଲାଷ୍ଟିକୀକରଣରେ ଏକ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ|ସେମାନଙ୍କର କ୍ଷତି ସାମଗ୍ରୀକୁ କଠିନ, ସଙ୍କୋଚନ ଏବଂ ଭଙ୍ଗୁର କରିବ |
4. ଥର୍ମାଲ୍ ସାଇକ୍ଲିଂ ଏବଂ ଚାପର ଥକ୍କା |
ପ୍ରକ୍ରିୟା: ଯଦି ପ୍ରୟୋଗ ପରିସ୍ଥିତିରେ ବାରମ୍ବାର ଥଣ୍ଡା ଏବଂ ଗରମ ଚକ୍ର ଥାଏ, ସିଲିକନ୍ ରବର କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ବିସ୍ତାର ହୋଇ ଚୁକ୍ତି କରିବ |
ପରିଣାମ: ଏହି ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଚାପ ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟରେ ମାଇକ୍ରୋକ୍ରାକ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ|ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାର ଅନୁକ୍ରମଣିକା ଅଧୀନରେ, ଏହି ମାଇକ୍ରୋକ୍ରାକ୍ଗୁଡ଼ିକ ସେମାନଙ୍କର ବିସ୍ତାର ଏବଂ ସଂଯୋଗକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରିବ, ପରିଶେଷରେ ପଦାର୍ଥର ମାକ୍ରୋସ୍କୋପିକ୍ ଭଙ୍ଗା ଫାଟିଯିବ |